CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.

Resultados: 3
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 6.541En existencias
9.000En pedido
Cinta cortada
$8.715
$5.833
$4.694
$4.170
Envase tipo carrete
$3.691
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 9.8 A 450 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 2.436En existencias
Cinta cortada
$7.747
$5.081
$3.737
$3.327
Envase tipo carrete
$2.939
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 7.4 A 650 mOhms - 10 V, + 20 V 4.5 V 8 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
24.945En pedido
Cinta cortada
$6.893
$4.512
$3.372
$2.825
Envase tipo carrete
$2.449
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.7 kV 5.2 A 1 Ohms - 10 V, + 20 V 4.5 V 5 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement CoolSiC