Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 15

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB017N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.984 1.868En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB017N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB017N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	1.868En existencias	Cinta cortada $6.984 $3.680 $3.361 $3.076 Envase tipo carrete $2.905 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	223 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 IPB020N08N5ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.323 776En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPB020N08N5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPB020N08N5ATMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	776En existencias	Cinta cortada $6.323 $3.281 $2.985 $2.632 Envase tipo carrete $2.347 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.000	Si	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	N-Channel	1 Channel	80 V	120 A	2.5 mOhms	20 V	2.2 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ075N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.213 28.445En existencias 25.000Se espera el 14-10-2027	N.º de artículo del Fabricante BSZ075N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ075N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	28.445En existencias 25.000Se espera el 14-10-2027	Cinta cortada $3.213 $1.584 $1.424 $1.151 Ver Envase tipo carrete $1.015 $1.105 $1.099 $1.015 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	8.5 mOhms	20 V	3 V	24 nC	- 55 C	+ 150 C	69 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC009NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.620 14.501En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC009NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC009NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	14.501En existencias	Cinta cortada $2.620 $1.276 $1.139 $908 Ver Envase tipo carrete $797 $877 $797 $797 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	1.25 mOhms	16 V	1.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.067 7.240En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC026N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC026N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	7.240En existencias	Cinta cortada $4.067 $2.051 $1.846 $1.595 $1.538 Envase tipo carrete $1.538 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.9 mOhms	20 V	2.2 V	74 nC	- 55 C	+ 150 C	156 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC026NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.515 456En existencias 30.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC026NE2LS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC026NE2LS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	456En existencias 30.000En pedido	Cinta cortada $1.515 $713 $633 $492 $476 Envase tipo carrete $476 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	82 A	4 mOhms	16 V	1.2 V	12 nC	- 55 C	+ 150 C	29 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A BSC030N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.703 9.866En existencias 55.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC030N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC030N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	9.866En existencias 55.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC030N08NS5ATMA1 Existencias: 9.866 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 25.000 Se espera el 28-01-2027 30.000 Se espera el 02-09-2027 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $3.703 $2.142 $1.652 $1.356 $1.333 Envase tipo carrete $1.196 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	4.5 mOhms	20 V	2.2 V	61 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC037N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.281 3.405En existencias 30.000Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante BSC037N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC037N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	3.405En existencias 30.000Se espera el 10-12-2026	Cinta cortada $3.281 $1.572 $1.413 $1.129 Envase tipo carrete $973 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.7 mOhms	20 V	3.8 V	46 nC	- 55 C	+ 150 C	114 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 BSC040N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.201 13.737En existencias 5.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC040N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC040N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 100A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	13.737En existencias 5.000En pedido	Cinta cortada $3.201 $1.584 $1.401 $1.134 Ver Envase tipo carrete $1.077 $1.102 $1.077 $1.077 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	4 mOhms	20 V	2.2 V	43 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8 BSC052N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.734 11.908En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC052N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC052N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	11.908En existencias	Cinta cortada $2.734 $1.333 $1.196 $951 $936 Envase tipo carrete $936 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 1.500 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	95 A	7.6 mOhms	20 V	2.2 V	32 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8 BSC061N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.666 10.000En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC061N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC061N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	10.000En existencias	Cinta cortada $2.666 $1.698 $1.139 $924 $885 Envase tipo carrete $734 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	82 A	6.1 mOhms	20 V	2.2 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8 BSC117N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.119 19.875En existencias	N.º de artículo del Fabricante BSC117N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC117N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 49A TDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	19.875En existencias	Cinta cortada $2.119 $1.012 $903 $713 $698 Envase tipo carrete $698 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	49 A	11.7 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS BSC009NE2LS5IATMA1 Infineon Technologies 1: $2.689 40.786En pedido	N.º de artículo del Fabricante BSC009NE2LS5IATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSC009NE2LS5IATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LV POWER MOS Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	40.786En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: BSC009NE2LS5IATMA1 Existencias: 0 En pedido: 30.786 Se espera el 17-12-2026 10.000 Se espera el 24-12-2026 Plazo de entrega de fábrica: 52 Semanas	Cinta cortada $2.689 $1.572 $1.219 $970 $932 Envase tipo carrete $792 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 5.000 : 5.000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	25 V	100 A	950 uOhms	16 V	1.2 V	36 nC	- 55 C	+ 150 C	74 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ110N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.347 30.137Se espera el 12-11-2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ110N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ110N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	30.137Se espera el 12-11-2026	Cinta cortada $2.347 $1.121 $1.001 $792 Ver Envase tipo carrete $605 $744 $711 $605 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	11 mOhms	20 V	2.2 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	50 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 BSZ084N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.620 5.000Se espera el 16-11-2026	N.º de artículo del Fabricante BSZ084N08NS5ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-BSZ084N08NS5ATMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8 Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	5.000Se espera el 16-11-2026	Cinta cortada $2.620 $1.276 $1.127 $897 Ver Envase tipo carrete $705 $872 $841 $705 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5.000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	40 A	11.9 mOhms	20 V	2.2 V	20 nC	- 55 C	+ 150 C	63 W	Enhancement	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel

Filtros aplicados:

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte