Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
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: 2.500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

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52 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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Min.: 1
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: 2.500

SMD/SMT

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N-Channel

1 Channel

950 V

4 A

2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

10 nC

- 55 C

+ 150 C

37 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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: 2.500

SMD/SMT

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Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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: 3.000

SMD/SMT

SOT-223-3

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1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

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Enhancement

CoolMOS

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IPA95R1K2P7XKSA1
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IPA95R1K2P7XKSA1

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.2 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

27 W

Enhancement

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IPD95R450P7ATMA1
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DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

950 V

14 A

450 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

35 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

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Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPN95R3K7P7ATMA1
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SOT-223-3

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2 A

3.7 Ohms

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2.5 V

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- 55 C

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IPU95R750P7AKMA1
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