Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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MOSFET de potencia Gold (G7) C7 CoolMOS™

Los MOSFET de potencia Gold C7 (G7) CoolMOS™ de Infineon Technologies están incluidos en el nuevo paquete SMD TO sin plomo (TOLL) utilizando el concepto de fórmula Kelvin. Los MOSFET G7 combinan la tecnología CoolMOS™ G7 mejorada de 600 V a 650 V, capacidad de fuente Kelvin de 4 pines y las propiedades térmicas mejoradas del paquete TO sin plomo. Esto permite una solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente, como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3 kW. Para el CoolMOS™ G7 de 600 V, los MOSFET se pueden utilizar para circuitos resonantes, como LCC de alta gama.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Nombre comercial

Empaquetado

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT65R040CFD7XTMA1 Infineon Technologies 1: $12.111 3.216En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT65R040CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT65R040CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	3.216En existencias	Cinta cortada $12.111 $6.722 $6.369 $6.015 Envase tipo carrete $6.015	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si															CoolMOS	Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R080G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $8.977 1.133En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R080G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R080G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1.133En existencias	Cinta cortada $8.977 $4.842 $4.443 $4.044 Envase tipo carrete $4.044 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	29 A	80 mOhms	20 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	174 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor IPT60R180CM8XTMA1 Infineon Technologies 1: $3.327 1.485En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R180CM8XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R180CM8XTMA	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600VCoolMOSCM8PowerTransistor Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos 8 sj mosfets	Hoja de datos	1.485En existencias	Cinta cortada $3.327 $1.823 $1.584 $1.333 $1.276 Envase tipo carrete $1.208 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	18 A	180 mOhms	20 V	4.7 V	17 nC	- 55 C	+ 150 C	119 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R028G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $21.817 1.350En existencias 2.000Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPT60R028G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R028G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1.350En existencias 2.000Se espera el 10-12-2026	Cinta cortada $21.817 $13.865 $13.831 $13.079 $12.384 Envase tipo carrete $12.384 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	75 A	28 mOhms	20 V	3 V	123 nC	- 55 C	+ 150 C	391 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R102G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $6.893 967En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R102G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R102G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	967En existencias	Cinta cortada $6.893 $3.623 $3.315 $3.019 $2.882 Envase tipo carrete $2.848 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	88 mOhms	20 V	3 V	34 nC	- 55 C	+ 150 C	141 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $12.965 23En existencias 2.000Se espera el 01-04-2027	N.º de artículo del Fabricante IPT60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R050G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	23En existencias 2.000Se espera el 01-04-2027	Cinta cortada $12.965 $8.032 $7.064 $6.448 $6.095 Envase tipo carrete $6.095 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	44 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R080G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $9.080 40En existencias 2.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPT60R080G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R080G7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	40En existencias 2.000En pedido	Cinta cortada $9.080 $5.480 $4.648 $4.272 Envase tipo carrete $3.805 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	650 V	29 A	80 mOhms	30 V	3 V	42 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R050G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $12.452 1.700Se espera el 16-09-2027	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R050G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R050G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	1.700Se espera el 16-09-2027	Cinta cortada $12.452 $6.927 $6.596 $6.243 Envase tipo carrete $6.243 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	47 A	50 mOhms	20 V	3 V	68 nC	- 55 C	+ 150 C	278 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPDD60R190G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $4.284 3.400Se espera el 10-12-2026	N.º de artículo del Fabricante IPDD60R190G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPDD60R190G7XTM1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	3.400Se espera el 10-12-2026	Cinta cortada $4.284 $2.165 $1.960 $1.595 $1.492 Envase tipo carrete $1.492	Min.: 1 Mult.: 1 : 1.700	Si	SMD/SMT	HDSOP-10	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	190 mOhms	20 V	3 V	18 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT65R099CFD7XTMA1 Infineon Technologies 2.000: $2.700 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPT65R099CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT65R099CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Envase tipo carrete $2.700	Min.: 2.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si															CoolMOS	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT65R190CFD7XTMA1 Infineon Technologies 2.000: $1.709 Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IPT65R190CFD7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT65R190CFD7XTM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas	Envase tipo carrete $1.709	Min.: 2.000 Mult.: 2.000 : 2.000	Si															CoolMOS	Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW IPT60R125G7XTMA1 Infineon Technologies 1: $6.072 Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas NRND	N.º de artículo del Fabricante IPT60R125G7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R125G7XTMA1 NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos g7 mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas	Cinta cortada $6.072 $5.844 Envase tipo carrete $2.427	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	20 A	108 mOhms	20 V	3 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	120 W	Enhancement		Reel, Cut Tape

MOSFET de potencia Gold (G7) C7 CoolMOS™

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