SCT4013DW7TL

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DW7TL
SCT4013DW7TL

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC TO263 750V 98A N-CH SIC

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ROHM Semiconductor
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
98 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
267 W
Enhancement
Marca: ROHM Semiconductor
Conformidad: Done
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 32 S
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Producto: MOSFET's
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Tiempo de subida: 32 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 1000
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 82 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 17 ns
Alias de las piezas n.º: SCT4013DW7
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Atributos seleccionados: 0

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Códigos de cumplimiento
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Tailandia
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DW7 N-Ch SiC Power MOSFET is a 750V, 13mΩ low on-resistance MOSFET designed for fast switching. The SCT4013DW7 offers a fast reverse recovery, is easy to parallel, and is simple to drive. The ROHM SCT4013DW7 is ideal for solar inverters, induction heating, and motor drives.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

En existencias: 240

Existencias:
240
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En pedido:
1.000
Plazo de entrega de fábrica:
27
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ †
$33.391 $33.391
$24.483 $244.830
$23.989 $2.398.900
$23.979 $11.989.500
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
$22.401 $22.401.000
† $5.000 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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