Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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SQJ464EP-T1_GE3
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SQJ431EP-T1_GE3
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SQJ423EP-T1_GE3
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SQJA94EP-T1_GE3
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SQJ459EP-T1_GE3
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SQJ418EP-T1_GE3
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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ457EP-T1_GE3
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32 A

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2.5 V

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Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

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2.6 mOhms
3.5 mOhms
3.6 mOhms
4 mOhms
4.8 mOhms
5 mOhms
7 mOhms
7.5 mOhms
7.7 mOhms, 22 mOhms
10.2 mOhms
10.5 mOhms
11 mOhms
11.2 mOhms
12 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
17.6 mOhms
17.9 mOhms
18 mOhms

20 nC
25 nC
27 nC
30 nC
32 nC
34 nC
35 nC
38 nC
38.3 nC, 45 nC
40 nC
44 nC
55 nC
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65 nC
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73 nC
80 nC
90 nC
100 nC
101 nC