LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low RDS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in RDS(on) compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ RDS(on).

Resultados: 20
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK 6.120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-5 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 22 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M9R5-40H/SOT1210/mLFPAK 29.182En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.5 mOhms - 10 V, 16 V 1.45 V 24 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M20-40H/SOT1210/mLFPAK 1.500En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 10.2 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK 107En existencias
1.500Se espera el 05-07-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 45 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK 328En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-5 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M6R7-40H/SOT1210/mLFPAK 245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 24 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M8R5-40H/SOT1210/mLFPAK 1.377En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M15-40H/SOT1210/mLFPAK 26En existencias
1.500Se espera el 26-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 15 mOhms - 10 V, 16 V 1.5 V 16.2 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M20-40H/SOT1210/mLFPAK 222En existencias
4.500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 25 A 20 mOhms - 10 V, 16 V 1.5 V 12.6 nC - 55 C + 175 C 38 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M4R3-40H/SOT1210/mLFPAK 1.465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-5 N-Channel 1 Channel 40 V 95 A 4.3 mOhms - 10 V, 16 V 1.77 V 31 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M5R0-40H/SOT1210/mLFPAK 47En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-5 N-Channel 1 Channel 40 V 85 A 5 mOhms - 10 V, 16 V 1.77 V 28 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M6R7-40H/SOT1210/mLFPAK 286En existencias
1.500Se espera el 05-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6.7 mOhms - 16 V, 16 V 1.45 V 31 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M3R3-40H/SOT1210/mLFPAK
3.570En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 10 V, 16 V 1.45 V 55 nC - 55 C + 175 C 101 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M6R0-40H/SOT1210/mLFPAK
1.500Se espera el 05-07-2027
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 28 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M11-40H/SOT1210/mLFPAK
1.500Se espera el 17-05-2027
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 11 mOhms - 16 V, 16 V 1.5 V 21 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M11-40H/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M15-40H/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 30 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 12.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M9R5-40H/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1.500
Mult.: 1.500
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 18 nC - 55 C + 175 C 55 W Enhancement Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M6R0-40H/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 6 mOhms - 16 V, 16 V 1.45 V 36 nC - 55 C + 175 C 70 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9M8R5-40H/SOT1210/mLFPAK Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT LFPAK-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 40 A 8.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.45 V 28 nC - 55 C + 175 C 59 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel