LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs

Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs provide an alternative to D2PAK by delivering an industry-leading power density in an innovative 8mm x 8mm footprint. These Nexperia MOSFETs deliver 2x higher continuous current ratings, ultimate thermal performance and reliability, and up to 60% space efficiency. Nexperia LFPAK88 Trench 9 Automotive MOSFETs are available in automotive AEC-Q101 and industrial grades.

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S1R2-40H/SOT1235/LFPAK88 1.775En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 43 V 300 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.3 V 80 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S2R0-40H/SOT1235/LFPAK88
6.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 190 A 2 mOhms - 10 V, 20 V 3.6 V 50 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S1R0-40H/SOT1235/LFPAK88 7.997En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 325 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 98 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S0R5-40H/SOT1235/LFPAK88 1.183En existencias
4.000Se espera el 05-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 500 uOhms - 10 V, 20 V 3.6 V 190 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS 1.250En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 50 V 200 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 117 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S1R5-40H/SOT1235/LFPAK88 5En existencias
2.000Se espera el 05-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 43 V 260 A 3.27 mOhms - 20 V, 20 V 4.3 V 67 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S2R5-40H/SOT1235/LFPAK88 37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 140 A 2.5 mOhms - 10 V, 20 V 4.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN2R0-55YLH/SOT1023/4 LEADS 53En existencias
1.500Se espera el 05-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.500

Si SMD/SMT SOT-1023-4 N-Channel 1 Channel 55 V 200 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 119 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7S0R7-40H/SOT1235/LFPAK88 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 2.000
Mult.: 2.000
: 2.000

Si SMD/SMT LFPAK-88-4 N-Channel 1 Channel 40 V 425 A 700 uOhms - 10 V, 20 V 3 V 144 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Reel