SuperFET® V MOSFETs

onsemi SuperFET® V MOSFETs are the fifth generation high-voltage Super Junction (SJ) MOSFETs. These devices deliver best-in-class Figure of Merits (FoMs) (RDS(ON)·QG and RDS(ON)·EOSS) to improve not only heavy load but also light load efficiency. The 600V SuperFET V MOSFETs provide design benefits through reduced conduction and switching losses while supporting extreme MOSFET dVDS/dt ratings at 120V/ns. The SuperFET V MOSFET FAST series help to maximize system efficiency and power density. The SuperFET V MOSFET Easy Drive series combines excellent switching performance without sacrificing ease of use for both hard and soft switching topologies. Typical applications include telecommunication, cloud system, and industrial.

Resultados: 5
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3
Hoja de datos
498En existencias
$12.874
$7.645
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V FAST 61MOHM FOR PQFN88
Hoja de datos
3.000En existencias
Cinta cortada
$10.823
$7.622
$6.163
$5.480
$4.853
Envase tipo carrete
$4.853
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK
Hoja de datos
2.279En existencias
Cinta cortada
$4.136
$2.689
$1.891
$1.584
$1.470
Envase tipo carrete
$1.379
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500
Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
Hoja de datos
742En existencias
$9.331
$6.562
$5.309
$4.717
$4.181
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
Hoja de datos
449Se espera el 16-02-2027
$10.504
$7.394
$5.981
$5.309
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube