Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Los MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado automotor de STMicroelectronics  están desarrollados con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST. Los dispositivos cuentan con bajo nivel de resistencia de encendido por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. Los MOSFET cuentan con una capacidad de temperatura en funcionamiento muy alta (TJ = 200°C), y un diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y sólido.

Resultados: 18
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
32En existencias
1.200Se espera el 19-02-2027
Cinta cortada
$23.936
$16.438
$15.102
Envase tipo carrete
$13.672
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C 555 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
570En existencias
$25.030
$14.871
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 900 V 110 A 15.8 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 138 nC - 55 C + 200 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
524En existencias
$27.901
$17.448
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
246En existencias
600Se espera el 23-07-2027
$21.276
$12.810
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole Hip247-4 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
960En existencias
Cinta cortada
$14.335
$8.151
$8.130
Envase tipo carrete
$7.688
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
13En existencias
1.200En pedido
$22.191
$15.313
$13.977
$12.852
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Hoja de datos
44En existencias
600Se espera el 14-05-2027
$19.930
$12.399
$11.632
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-3 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Hoja de datos
16En existencias
600Se espera el 14-05-2027
$14.608
$10.264
$7.835
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
Hoja de datos
5En existencias
600Se espera el 19-02-2027
$21.213
$11.358
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-3 1 Channel 1.2 kV 36 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 4.9 V 61 nC - 55 C + 200 C 278 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1.200En pedido
Cinta cortada
$28.890
$21.707
$19.930
Envase tipo carrete
$18.299
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 750 V 110 A 15 mOhms - 10 V, + 22 V 3.2 V 154 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1.985En pedido
Cinta cortada
$27.134
$18.604
$18.110
Envase tipo carrete
$16.764
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 112 A 22 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 150 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
1.997Se espera el 20-08-2027
Cinta cortada
$19.309
$11.958
$11.895
Envase tipo carrete
$11.316
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 55 A 37 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 73 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
998Se espera el 29-01-2027
Cinta cortada
$24.536
$15.986
$15.954
$15.008
Envase tipo carrete
$14.271
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 900 V 110 A 12 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 138 nC - 55 C + 175 C 625 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
1.200Se espera el 12-03-2027
Cinta cortada
$17.342
$11.106
$9.760
Envase tipo carrete
$8.298
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 40 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 54 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
600Se espera el 08-10-2027
Cinta cortada
$14.366
$10.948
$9.118
Envase tipo carrete
$8.130
$7.688
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Hoja de datos
1.800En pedido
Cinta cortada
$14.229
$9.192
$8.382
Envase tipo carrete
$7.614
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Hoja de datos
599Se espera el 11-11-2026
Cinta cortada
$15.428
$10.591
$9.328
Envase tipo carrete
$8.414
Min.: 1
Mult.: 1
: 600
SMD/SMT HU3PAK-7 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
100En pedido
$14.114
$9.297
$8.151
$6.952
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101