Resultados: 13
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
5.845En existencias
$2.844
$1.702
$1.263
$1.062
$940
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4.239En existencias
$3.129
$1.932
$1.329
$1.120
$991
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp 207En existencias
Cinta cortada
$4.557
$2.975
$2.163
$1.669
Envase tipo carrete
$1.614
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
896En existencias
$4.721
$2.405
$2.185
$1.790
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
4.826En existencias
$3.074
$1.614
$1.372
$1.241
$1.131
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 400V 10A N-CH MOSFET 2.266En existencias
Cinta cortada
$4.205
$2.251
$1.976
$1.515
Envase tipo carrete
$1.372
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.600
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO262 400V 10A N-CH MOSFET 1.689En existencias
$4.425
$2.251
$2.031
$1.669
$1.658
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
7.557En existencias
$2.833
$1.636
$1.372
$1.230
$1.080
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp 5.159En existencias
$3.711
$1.976
$1.658
$1.394
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp 2.683En existencias
Cinta cortada
$4.029
$2.635
$1.834
$1.471
Envase tipo carrete
$1.416
$1.361
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 2 V 36 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 10A N-CH MOSFET
1.454En existencias
$4.721
$2.405
$2.185
$1.790
$1.779
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 10 Amp 993En existencias
$4.117
$2.196
$1.867
$1.559
$1.493
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 400 V 10 A 550 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Cinta cortada
$3.711
$2.415
$1.669
$1.537
Envase tipo carrete
$1.493
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape, MouseReel