Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Chile

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Resultados: 4

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

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Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R065S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $7.038 969En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R065S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R065S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	969En existencias	Cinta cortada $7.038 $4.183 $2.833 Envase tipo carrete $2.833	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	8 A	65 mOhms	12 V	3.5 V	51 nC	- 55 C	+ 150 C	167 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPP60R022S7XKSA1 Infineon Technologies 1: $14.021 851En existencias 2.500En pedido	N.º de artículo del Fabricante IPP60R022S7XKSA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPP60R022S7XKSA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	851En existencias 2.500En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IPP60R022S7XKSA1 Existencias: 851 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1.500 Se espera el 13-05-2027 1.000 A determinar Plazo de entrega de fábrica: 53 Semanas	$14.021 $7.916 $7.378	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R040S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $10.628 985En existencias	N.º de artículo del Fabricante IPT60R040S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R040S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	985En existencias	Cinta cortada $10.628 $5.852 $5.424 $5.259 Envase tipo carrete $5.073 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	13 A	40 mOhms	20 V	4.5 V	83 nC	- 55 C	+ 150 C	245 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW IPT60R022S7XTMA1 Infineon Technologies 1: $15.481 13.942Se espera el 02-11-2026	N.º de artículo del Fabricante IPT60R022S7XTMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPT60R022S7XTMA1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon coolmos sj s7 s7t mosfets	Hoja de datos	13.942Se espera el 02-11-2026	Cinta cortada $15.481 $9.179 $9.003 $8.663 $8.399 Envase tipo carrete $8.092 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2.000			Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	600 V	23 A	22 mOhms	20 V	4.5 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	390 W	Enhancement	CoolMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel