MOSV MOSFETs

Toshiba MOSV MOSFETs are N-channel MOSFETs offered in logic-level gate drive and low-voltage gate drive variants. These Toshiba devices provide a drain-source breakdown voltage (VDS) range from 50V to 60V and a gate-source voltage (VGS) range from 4V to 20V. Toshiba MOSV MOSFETs are offered in UFM, UF6, TSOP6F, and SOT-23F packages for design flexibility.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
32.567En existencias
51.000Se espera el 16-10-2026
Cinta cortada
$692
$312
$273
$206
Envase tipo carrete
$156
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
17.466En existencias
Cinta cortada
$1.416
$988
$625
$386
Envase tipo carrete
$254
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 650 mA 1.8 Ohms 12 V 1.3 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=50V
14.963En existencias
18.000Se espera el 19-10-2026
Cinta cortada
$307
$133
$115
$85,6
Envase tipo carrete
$61,5
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=2A VDSS=60V
5.970En existencias
Cinta cortada
$791
$359
$316
$240
Envase tipo carrete
$183
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UFM-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms 20 V 800 mV 6 nC + 150 C 1.6 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=2.0A, RDS(ON)=0.44Ohm @ 4V, in UF6 package
791En existencias
9.000Se espera el 19-10-2026
Cinta cortada
$769
$345
$303
$229
Envase tipo carrete
$176
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 440 mOhms 20 V 2 V 6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2-in-1 MOSFET ID=100mA VDSS=50V
7.308En existencias
Cinta cortada
$494
$217
$201
$188
Envase tipo carrete
$105
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SC-70-6 N-Channel 2 Channel 50 V 100 mA 20 Ohms 7 V 900 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET
68.000En pedido
Cinta cortada
$900
$407
$359
$273
Envase tipo carrete
$211
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT SOT-23F-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2 A 300 mOhms 20 V 800 mV 6 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 MOSV Reel, Cut Tape, MouseReel