OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V Power MOSFETs are N-channel normal level MOSFETs available in PG-TO263-3, PG-TO220-3, and PG-HDSOP-16 packages. These MOSFETs feature excellent gate charge x RDS(on) product (FOM), very low reverse recovery charge (Qrr), and low on‑resistance RDS(on). The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs operate at 175°C temperature. These MOSFETs are halogen‑free according to IEC61249‑2‑21 and Moisture Sensitivity Level (MSL 1) classified according to J‑STD-020 standards. The OptiMOS™ 6 200V MOSFETs are ideal for renewables, motor control, audio amplifiers, and industrial applications.

Resultados: 17
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
6.408En existencias
Cinta cortada
$7.690
$4.477
$3.714
$3.304
Envase tipo carrete
$2.962
$2.951
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
1.028En existencias
1.000Se espera el 30-11-2026
Cinta cortada
$5.047
$2.586
$2.347
$1.982
Envase tipo carrete
$1.857
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
2.799En existencias
1.000Se espera el 28-10-2027
$6.790
$3.566
$3.258
$2.757
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
3.789En existencias
1.800Se espera el 13-05-2027
Cinta cortada
$9.547
$5.172
$4.751
$4.648
$4.398
Envase tipo carrete
$4.398
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.800
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 6.8 mOhms 20 V 4.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 319 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
4.440En existencias
Cinta cortada
$8.613
$5.047
$4.637
$4.512
Envase tipo carrete
$4.261
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 200 V 134 A 6.3 mOhms 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
6.475En existencias
$8.590
$4.614
$4.227
$3.817
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 136 A 6.9 mOhms 20 V 3.7 V 73 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
555En existencias
500Se espera el 30-11-2026
$5.719
$2.962
$2.689
$2.210
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
322En existencias
$4.876
$2.484
$2.256
$1.834
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 61 A 15.5 mOhms 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
139En existencias
10.000En pedido
Cinta cortada
$3.623
$1.800
$1.629
$1.310
Ver
Envase tipo carrete
$1.185
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT SON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 44 A 30 mOhms 20 V 4.5 V 17 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
8.468En existencias
Cinta cortada
$4.124
$2.073
$1.880
$1.527
Envase tipo carrete
$1.424
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1.000
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
970En existencias
Cinta cortada
$9.422
$5.104
$4.694
$4.580
Envase tipo carrete
$4.580
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
: 1.000
Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 200 V 138 A 6.2 mOhms 20 V 3.7 V 72 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
518En existencias
1.000Se espera el 28-10-2027
Cinta cortada
$6.779
$3.566
$3.247
$2.951
Envase tipo carrete
$2.780
Min.: 1
Mult.: 1
: 1.000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms 20 V 4.5 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
2.267En existencias
$3.782
$1.891
$1.709
$1.367
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 39 A 33.9 mOhms 20 V 4.5 V 15.9 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
1.211En existencias
Cinta cortada
$6.870
$3.612
$3.304
$3.008
$2.894
Envase tipo carrete
$2.837
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 200 V 87 A 12.9 mOhms 20 V 3.7 V 37 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
3.680En existencias
Cinta cortada
$6.426
$3.566
$3.258
$2.962
Envase tipo carrete
$2.962
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 500
: 5.000
Si SMD/SMT TSON-8-3 N-Channel 1 Channel 200 V 88 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 39 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
6.684En existencias
Cinta cortada
$2.415
$1.253
$1.083
$889
Ver
Envase tipo carrete
$747
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 26 A 52 mOhms 20 V 3.7 V 9.9 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >150 - 400V
Hoja de datos
8.905Se espera el 01-04-2027
Cinta cortada
$5.924
$3.076
$2.803
$2.461
Envase tipo carrete
$2.005
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 200 V 74 A 15.1 mOhms 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel