TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

Resultados: 37
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs SO-8 14.546En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 40 V 36 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 105 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 20.115En existencias
2.500Se espera el 27-01-2028
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 19.3 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 12.042En existencias
45.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2.500
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 95 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 60A 104W 1.9mohm @ 10V 887En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 60 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 9.339En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30 A 7.9 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 20 nC - 55 C + 150 C 41.7 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 4.280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10.9 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 12 nC - 55 C + 150 C 5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs SO-8 1.739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 30.5 A 3.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 65 nC - 55 C + 150 C 6.5 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 5.785En existencias
12.000Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3.000
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 30 V 12 A 24 mOhms - 10 V, 10 V 1 V 8 nC - 55 C + 150 C 10 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 323En existencias
24.000Se espera el 26-08-2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 20 V 35 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs SO-8
7.361Se espera el 20-08-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 20 V 46 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 110 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
11.750Se espera el 12-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 117 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
26.943En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8 N-Channel 1 Channel 20 V 35 A 4.8 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 41 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement TrenchFET, PowerPAK Reel, Cut Tape, MouseReel