Resultados: 10
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 625En existencias
$10.060
$6.665
$6.152
$6.107
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En existencias
$19.858
$11.461
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En existencias
Cinta cortada
$13.979
$7.872
$7.679
$7.269
Envase tipo carrete
$7.269
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 650V 497En existencias
$11.552
$7.667
$7.223
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202En existencias
$32.777
$23.013
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 2.260En existencias
Cinta cortada
$37.083
$29.690
$25.679
$24.312
Envase tipo carrete
$22.717
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 253En existencias
1.350En pedido
$10.857
$6.107
$5.617
$4.876
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330En existencias
Cinta cortada
$15.141
$9.718
$9.194
Envase tipo carrete
$9.194
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En existencias
450Se espera el 09-02-2027
$12.338
$7.428
$6.027
$5.503
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TOLL 650V Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Cinta cortada
$15.517
$11.814
$9.843
$8.772
$7.451
Envase tipo carrete
$7.451
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC