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QPD0020TR7

Name: Qorvo QPD0020TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0020TR7
Price: 63017 CLP
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD0020TR7

Fabricante N.º:

QPD0020TR7

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Hoja de datos:

QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	GaN FETs
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	QFN-20
Marca:	Qorvo
Configuración:	Single
Kit de desarrollo:	QPD0020EVB02
Ganancia:	16.7 dB
Frecuencia de trabajo máxima:	2.69 GHz
Frecuencia de trabajo mínima:	2.62 GHz
Potencia de salida:	34.7 W
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Tipo de producto:	GaN FETs
Serie:	QPD0020
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	HEMT
Alias de las piezas n.º:	QPD0020

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QPD0020TR7 Hoja de datos (PDF)

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

QPD0020 GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD0020 GaN RF Power Transistors are 35W unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6GHz on a +48V supply rail. The devices are suited for base station, radar, and communications applications. The transistors support CW and pulsed mode of operations. The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

PRODUCTOS DESTACADOS

QORVO

QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Designed for demanding L‑Band applications, operating across the 1.0GHz to 1.5GHz frequency range.

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QPD1014A GaN Input Matched Transistors

15W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

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QPD1011A GaN Input Matched Transistors

7W (P_3dB), 50Ω input matched discrete GaN-on-SiC HEMTs operating from 30MHz to 1.2GHz.

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QPD1004A GaN Input Matched Transistors

25W, 50Ω input matched discrete GaN on SiC HEMT operates from 30MHz to 1400MHz on a 50V supply rail.

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QPD1035 GaN RF Power Transistors

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	$46.653	$23.326.500

QPD0020TR7

Fabricante: Qorvo

Descripción: GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

Especificaciones

Documentos (1)

Hoja de datos

Documentos ambientales

Cumplimiento de productos y comercio

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QPD0020 GaN RF Power Transistors

PRODUCTOS DESTACADOS QORVO

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GaN FETs DC-6GHz 35W 50V GaN Transistor

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