Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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POWERPAK® 1212 MOSFETs

Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETs are ideal for switching applications and boast a die-on resistance of approximately 1mΩ and can handle up to 85A. The Vishay POWERPAK 1212 introduces a packaging technology to mitigate the risk of degrading high-performance dies. This package offers ultra-low thermal impedance in a compact design, making it ideal for space-constrained applications.

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Resultados: 15

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V Vishay / Siliconix SiSS4402DN-T1-GE3 SiSS4402DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.939 11.908En existencias	N.º de artículo del Fabricante SiSS4402DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISS4402DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix p channel mosfets	Hoja de datos	11.908En existencias	$2.939 $1.447 $1.299 $1.033 Ver $1.008 $886	Min.: 1 Mult.: 1	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	N-Channel	1 Channel	40 V	128 A	2.2 mOhms	- 16 V, 20 V	2.5 V	46.7 nC	- 55 C	+ 150 C	65.7 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET SIS5712DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.290 3.492En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIS5712DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIS5712DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay semiconductor trenchfet gen iii mosfets	Hoja de datos	3.492En existencias	Cinta cortada $2.290 $1.097 $981 $777 $756 Envase tipo carrete $636 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	150 V	18 A	55.5 mOhms	20 V	4 V	7.5 nC	- 55 C	+ 150 C	39.1 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 62A SISD5300DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.928 2.553En existencias	N.º de artículo del Fabricante SISD5300DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISD5300DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 62A Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sisd5300dn mosfet	Hoja de datos	2.553En existencias	Cinta cortada $2.928 $1.435 $1.287 $1.026 $999 Envase tipo carrete $891	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-F-8	N-Channel	1 Channel	30 V	198 A	870 uOhms	- 12 V, 16 V	2 V	27 nC	- 55 C	+ 150 C	57 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET SQS414CENW-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: $1.287 63.424En existencias 84.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SQS414CENW-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQS414CENW-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix sqs414cenw mosfets	Hoja de datos	63.424En existencias 84.000En pedido	Cinta cortada $1.287 $597 $529 $409 $396 Envase tipo carrete $342 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	60 V	18 A	23 mOhms	20 V	2.5 V	8.9 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay / Siliconix SQS140ELNW-T1_GE3 SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.028 2.476En existencias	N.º de artículo del Fabricante SQS140ELNW-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQS140ELNW	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	2.476En existencias	Cinta cortada $2.028 $966 $861 $679 Envase tipo carrete $545 Ver $651 $532	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	40 V	153 A	3.45 mOhms	20 V	2.5 V	53 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Vishay / Siliconix SQS180ENW-T1_GE3 SQS180ENW-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: $1.925 825En existencias 9.000Se espera el 23-11-2026	N.º de artículo del Fabricante SQS180ENW-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQS180ENW	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	825En existencias 9.000Se espera el 23-11-2026	Cinta cortada $1.925 $1.219 $813 $639 Envase tipo carrete $512 Ver $583 $500	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	80 V	72 A	8.67 mOhms	20 V	3.5 V	37 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 4A N/P CH FET Vishay / Siliconix SIS590DN-T1-GE3 SIS590DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.256 4.874En existencias	N.º de artículo del Fabricante SIS590DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIS590DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 4A N/P CH FET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay powerpak 1212 mosfets	Hoja de datos	4.874En existencias	Cinta cortada $2.256 $1.390 $916 $720 Envase tipo carrete $558 Ver $615 $496 $478 $463 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel, P-Channel	2 Channel	100 V	4 A	186 mOhms, 338 mOhms	20 V	2.5 V	9 nC, 22.4 nC	- 55 C	+ 150 C	17.9 W, 23.1 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Vishay / Siliconix SQJQ140E-T1_GE3 SQJQ140E-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: $5.355 2.211En existencias 4.000Se espera el 19-11-2026	N.º de artículo del Fabricante SQJQ140E-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQJQ140E-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay powerpak 1212 mosfets	Hoja de datos	2.211En existencias 4.000Se espera el 19-11-2026	Cinta cortada $5.355 $2.757 $2.495 $2.142 Envase tipo carrete $2.028 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 2.000 : 2.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8W-8	N-Channel	1 Channel	40 V	701 A	530 uOhms	20 V	3.3 V	288 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 12.9A SIS176LDN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.358 3.329En existencias 48.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SIS176LDN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SIS176LDN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 70V 12.9A Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix sis176ldn mosfets	Hoja de datos	3.329En existencias 48.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SIS176LDN-T1-GE3 Existencias: 3.329 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 24.000 Se espera el 01-07-2027 24.000 Se espera el 19-07-2027 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada $2.358 $1.458 $957 $753 $676 Envase tipo carrete $583 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	70 V	42.3 A	10.9 mOhms	12 V	1.6 V	12.6 nC	- 55 C	+ 150 C	39 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V Vishay / Siliconix SiSS5623DN-T1-GE3 SiSS5623DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $3.133 22En existencias 6.000Se espera el 30-09-2027	N.º de artículo del Fabricante SiSS5623DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISS5623DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix p channel mosfets	Hoja de datos	22En existencias 6.000Se espera el 30-09-2027	$3.133 $2.017 $1.367 $1.162 Ver $1.026 $971 $934	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	P-Channel	1 Channel	60 V	36.2 A	24 mOhms	20 V	2.6 V	21.8 nC	- 55 C	+ 150 C	56.8 W	Enhancement
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S SISS63DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: $2.108 314En existencias 111.000En pedido	N.º de artículo del Fabricante SISS63DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISS63DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S Obtenga más información sobre Vishay Semiconductors vishay pchannel power mosfets	Hoja de datos	314En existencias 111.000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SISS63DN-T1-GE3 Existencias: 314 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 51.000 Se espera el 11-03-2027 60.000 Se espera el 15-04-2027 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada $2.108 $1.322 $870 $690 $666 Envase tipo carrete $561 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	P-Channel	1 Channel	20 V	127.5 A	2.7 mOhms	12 V	1.5 V	72.2 nC, 157.2 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A SISH536DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: $1.322 11.965En pedido	N.º de artículo del Fabricante SISH536DN-T1-GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SISH536DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAK1212 N-CH 30V 24.7A Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay siliconix trenchfet gen v mosfets	Hoja de datos	11.965En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: SISH536DN-T1-GE3 Existencias: 0 En pedido: 5.965 Se espera el 15-04-2027 6.000 Se espera el 05-08-2027 Plazo de entrega de fábrica: 38 Semanas	Cinta cortada $1.322 $817 $538 $439 $399 Envase tipo carrete $327 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 6.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	30 V	67.4 A	3.25 mOhms	- 12 V, 16 V	2.2 V	16.6 nC	- 55 C	+ 150 C	26.5 W	Enhancement		TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET SQS174ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix 1: $2.165 2.965Se espera el 22-02-2027	N.º de artículo del Fabricante SQS174ELNW-T1_GE3 N.º de artículo de Mouser 78-SQS174ELNW-T1_GE3	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	2.965Se espera el 22-02-2027	Cinta cortada $2.165 $1.031 $922 $769 $743 Envase tipo carrete $587	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8SLW	N-Channel	1 Channel	72 V	87 A	5.5 mOhms	20 V	2.5 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	103 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V SQS142ELNW Vishay / Siliconix 3.000: $463 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante SQS142ELNW N.º de artículo de Mouser 78-SQS142ELNW	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SLW, 4.5 mohm a. 10V, 6.5 mohm a. 4.5V Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	No en existencias	Envase tipo carrete $463 $426 $411 $404	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	40 V	86 A	6.5 mOhms	20 V	2.5 V	32 nC	- 55 C	+ 175 C	70 W	Enhancement			Reel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V SQS180ELNW Vishay / Siliconix 3.000: $538 No en existencias	N.º de artículo del Fabricante SQS180ELNW N.º de artículo de Mouser 78-SQS180ELNW	Vishay / Siliconix	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 80 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8SW, 7.1 mohm a. 10V, 8.3 mohm a. 4.5V Obtenga más información sobre Vishay / Siliconix vishay sqmosfets	Hoja de datos	No en existencias	Envase tipo carrete $538 $526	Min.: 3.000 Mult.: 3.000 : 3.000	Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8	N-Channel	1 Channel	80 V	82 A	8.3 mOhms	20 V	2.5 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	119 W	Enhancement			Reel

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