CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V Silicon Carbide (SiC) G2 MOSFETs are offered in a TO-247PLUS-4 reflow package. These Infineon MOSFETs are ideal for high-output power applications such as Electric Vehicle (EV) charging, Battery Energy Storage Systems (BESS), Commercial / Construction / Agricultural Vehicles (CAV), and more. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package features reflow capability (3x reflow soldering possible), enabling lower thermal resistance.

Resultados: 11
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
565En existencias
$46.050
$33.278
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
190En existencias
$66.534
$56.747
$46.813
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
224En existencias
$38.883
$31.125
$26.921
$25.486
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
230En existencias
$21.726
$16.554
$13.785
$12.293
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC DISCRETE
Hoja de datos
414En existencias
$17.089
$9.615
$9.433
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Hoja de datos
238En existencias
Cinta cortada
$35.466
$28.391
$24.551
Envase tipo carrete
$24.551
$23.241
Min.: 1
Mult.: 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
342En existencias
$17.306
$13.181
$10.983
$9.775
$9.137
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Hoja de datos
67En existencias
240Se espera el 09-11-2026
$24.244
$18.103
$15.654
$14.822
Presupuesto
Min.: 1
Mult.: 1
CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
109En existencias
240Se espera el 09-11-2026
$20.439
$11.723
$10.948
$10.265
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
126En existencias
240En pedido
$19.823
$15.107
$12.589
$11.210
$10.470
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Hoja de datos
1.440Se espera el 21-10-2027
$15.107
$11.256
$9.388
$7.303
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC