Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Paquete / Cubierta

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

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Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

SQD19P06-60L_T4GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds TO-252 AEC-Q101 Qualified

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Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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SQJ423EP-T1_GE3
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SQJ403EP-T1_GE3
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SQ4483EY-T1_GE3
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SQJ407EP-T1_GE3
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SQ4153EY-T1_GE3
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SQ4153EY-T1_GE3

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SQS481ENW-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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+ 175 C

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Enhancement

AEC-Q101

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SQJA37EP-T1_GE3
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Enhancement

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SQ3419AEEV-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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6.9 A

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1.5 V

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- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK

SQS840CENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQS840CENW-T1_GE3

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78-SQS840CENW-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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$776

$509

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PowerPAK-1212-8W-8

N-Channel

1 Channel

40 V

12 A

20 mOhms

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2.5 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SQJ459EP-T1_GE3

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SMD/SMT

PowerPAK-SO-8L-4

P-Channel

1 Channel

60 V

52 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

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5.3 A

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- 55 C

+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

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SQ3427EV-T1_GE3
Vishay Semiconductors
1: $1.283
306.312En existencias

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SQ3427EV-T1_GE3

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78-SQ3427EV-T1_GE3

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SMD/SMT

TSOP-6

P-Channel

1 Channel

60 V

5.3 A

95 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

15.3 nC

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+ 175 C

5 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

SQJ457EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
1: $1.693
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SQJ457EP-T1_GE3

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78-SQJ457EP-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

P-Channel

1 Channel

60 V

36 A

25 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

65 nC

- 55 C

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68 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified

SQA401EJ-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQA401EJ-T1_GE3

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78-SQA401EJ-T1_GE3

Vishay / Siliconix

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SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

3.75 A

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- 12 V, 12 V

1 V

3.4 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

Enhancement

AEC-Q101

TrenchFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

SQD40081EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD40081EL_GE3

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78-SQD40081EL_GE3

Vishay / Siliconix

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs TO-252; -50A Id

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DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2.5 V

210 nC

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71 W

Enhancement

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified

SQD40131EL_GE3
Vishay / Siliconix
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SQD40131EL_GE3

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DPAK-3 (TO-252-3)

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- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L

SQJ415EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQJ415EP-T1_GE3

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Vishay / Siliconix

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PowerPAK-SO-8-4

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1 Channel

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30 A

14 mOhms

- 20 V, 20 V

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ4005EY-T1_GE3
Vishay / Siliconix
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SQ4005EY-T1_GE3

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TrenchFET

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

SQJ409EP-T1_GE3
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P-Channel

1 Channel

40 V

60 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

170 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

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Vishay / Siliconix
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16 A

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- 20 V, 20 V

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- 55 C

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

800 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

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SMD/SMT

SC-70-6

P-Channel

1 Channel

20 V

2.68 A

113 mOhms

- 8 V, 8 V

1.5 V

5.3 nC

- 55 C

+ 175 C

13.6 W

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SQM40061EL_GE3
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40 V

100 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

185 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

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2.68 A
2.8 A
3.75 A
4.7 A
5.3 A
6.9 A
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15 A
16 A
20 A
25 A
30 A
32 A
36 A
50 A
52 A
55 A
60 A
75 A

2.5 mOhms
4.4 mOhms
4.8 mOhms
5.1 mOhms
6.4 mOhms
7 mOhms
7.1 mOhms
8.1 mOhms
8.5 mOhms
9.2 mOhms
11.5 mOhms
13 mOhms
14 mOhms
15.5 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
25 mOhms
33 mOhms
48 mOhms
55 mOhms

3.4 nC
5.3 nC
5.4 nC
7.5 nC
8 nC
9 nC
12.5 nC
15 nC
15.3 nC
27 nC
29 nC
50 nC
65 nC
73 nC
76 nC
80 nC
90 nC
95 nC
100 nC
101 nC