iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
Hoja de datos
50En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
94En existencias
200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
1.268En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
Hoja de datos
198En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 172A TO-220
Hoja de datos
97En existencias
1.000Se espera el 15-10-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
Hoja de datos
4.210En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
Hoja de datos
1.829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
Hoja de datos
331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 128A TO-220
Hoja de datos
1.000Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 AEC-Q101
Hoja de datos
200Se espera el 03-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel 200 V SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 150V 233A TOLL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 5.000
Mult.: 5.000
: 5.000

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
: 1.000

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Reel