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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
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STMicroelectronics Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Electronic fuse for 12 V line
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STMicroelectronics Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
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STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
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STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
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STMicroelectronics Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A single gate driver
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STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7 in
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STMicroelectronics Motor / Movimiento /Controladores y dispositivos de ignición SLLIMM nano IPM, 3-phase inverter, 2 A, 1.7 Ohm max., 500 V, MOSFET
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.027 Ohm typ. 8A STripFET VII
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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 20 mOhm typ., 18 A STripFET F7 Power MOSFET in
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STMicroelectronics Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 Access line MCU 16 Kbytes of Flash , 48 MHz CPU
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STMicroelectronics Microcontroladores ARM - MCU Mainstream Arm Cortex-M0 USB line MCU 16 Kbytes of Flash 48 MHz CPU, USB, CAN &
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STMicroelectronics Microcontroladores ARM - MCU ARM Cortex-M0 MCU 16Kb Flash 48MHz
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