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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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50En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
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6En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.50V
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39En existencias
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Advanced Linear Devices Comparadores analógicos 2mV Open Drain Drvr
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35En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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28En existencias
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Advanced Linear Devices Comparadores analógicos 1mV Push-Pull Drvr
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29En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.00V
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5En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.10V
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4En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
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47En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
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176En existencias
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Advanced Linear Devices Herramientas de desarrollo de administración de IC 2-CHANNEL OVP SAB PCB w/ ALD910018SALI
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2En existencias
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
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Plazo de entrega 17 Semanas
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.30V
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450Se espera el 10-09-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.50V
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1.785En pedido
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Channel Array
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100Se espera el 10-09-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
43Se espera el 25-09-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
50Se espera el 25-09-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.60V
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50Se espera el 01-10-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
35Se espera el 06-10-2026
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=1.70V
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Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad MOSFET ARRAY Vt=2.40V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad SAB MOSFET ARRAY VT=2.70V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Min.: 50
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Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual SAB MOSFET ARRAY VT=2.20V
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Plazo de entrega no en existencias 4 Semanas
Min.: 50
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Advanced Linear Devices Módulos de cosecha de energía 1.8V to 3.6V 4.6mJ 68msec@25mA
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Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
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Advanced Linear Devices Módulos de cosecha de energía 3.1V to 5.2V 8.3mJ 80msec@25mA
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Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
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