Memoria RAM magnetorresistiva

Resultados: 40
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Paquete / Cubierta Tipo de interfaz Tamaño de memoria Organización Ancho de bus de datos Tiempo de acceso Voltaje de alimentación - Mín. Voltaje de alimentación - Máx. Corriente de suministro operativa Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1004204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 8 Mbit 1 M x 8 8 bit 7 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1008204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 20 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 85 C AS1016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 10 ns 1.71 V 2 V 21 mA - 40 C + 105 C AS1016204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 10 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 105 C AS3001204 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3004101 Reel
Avalanche Technology Memoria RAM magnetorresistiva No en existencias
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
WSON-8 QSPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 23 mA - 40 C + 85 C AS3004204 Reel