Tube Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Configuración
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente
Voltaje de corte puerta-fuente
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Calificación
Empaquetado
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/25MOSICJFETG3TO2
Hoja de datos
609En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/65MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
538En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
62En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1.423En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
575En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
437En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/9MOSICFETDGG3TO247-4
Hoja de datos
617En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/35MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/6MOCOMBO-FETG4TO247-4
Hoja de datos
325En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO247-4
Hoja de datos
558En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
InterFET Transistor de unión de efecto de campo (JFET) JFET P-Channel 30V Low Noise
Hoja de datos
3.583En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel Single - 15 V 30 V 2.25 V - 20 mA - 10 nA 300 Ohms 360 mW - 55 C + 125 C SMPJ177 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 650V/80MOSICJFETG3TO2
Hoja de datos
465En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 1200V/70MOSICJFETG3TO
Hoja de datos
513En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
1.808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube