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Resultados: 20
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-3 T&R 10K
Hoja de datos
10.000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 10.000

MOSFETs Si SMD/SMT X2-DFN0806-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
20.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
20.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
5.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
30.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
20.000Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 NPN
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SS Mid-Perf Transistor SOT563 T&R 3K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT563-6 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 PNP
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 5.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT U-DFN1412-3 NPN
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 10K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 10.000
Mult.: 10.000
Carrete: 10.000
MOSFETs Si SMD/SMT U-DFN2020-6 N-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs Si Screw Mount N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel
Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Pwr Low Sat Transistor SOT89 T&R 4K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 4.000
Mult.: 4.000
Carrete: 4.000
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT89 NPN

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 2.500
Mult.: 2.500
Carrete: 2.500
MOSFETs Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel
Microchip Technology DRF1310-CLASS-D
Microchip Technology Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF MOSFET (VDMOS) Push-Pull Hybrid 13.56 MHz Reference Design Kit No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
RF MOSFETs