STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 80 Amp
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 5 A STripFET H6 Power MOSFET in SO-8 package
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MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
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1.460En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 0.120 Ohm typ., 38 A MDmesh DK5 Power MOSFET in a TO-247 packag
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
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1.382En existencias
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Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
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5.916En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 PNP

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole ISOWATT-218FX-3 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
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1.643En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
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1.277En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
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1.533En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
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7.897En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
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1.955En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel