Toshiba Módulos MOSFET

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
Toshiba Módulos MOSFET SiC MOSFET Module, 2200V, 250A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 2.2 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
Toshiba Módulos MOSFET SiC MOSFET Module, 1700V, 250A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 250 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba Módulos MOSFET SiC MOSFET Module, 1200V, 400A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 1.35 kW Tray
Toshiba Módulos MOSFET SiC MOSFET Module, 1700V, 400A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.7 kV 400 A - 10 V, 25 V 5.5 V + 150 C 2 kW Tray
Toshiba Módulos MOSFET SiC MOSFET Module, 1200 V, 600 A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount N-Channel 1 Channel 1.2 kV 600 A - 10 V, 25 V 5.6 V + 150 C 2 kW Tray