NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules

onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules feature high efficiency and superior reliability. The NXH100B120H3Q0 integrated field stop trench IGBTs and SiC Diodes provide lower conduction and switching losses. onsemi NXH100B120H3Q0 Dual Boost Power Modules are ideal for energy storage systems, solar inverters, and uninterruptible power supply (UPS) applications.

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Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto
Tecnología
Serie
Empaquetado
onsemi NXH100B120H3Q0SG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
Hoja de datos
24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray
onsemi NXH100B120H3Q0PG
onsemi Módulos de semiconductores discretos PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
Hoja de datos
312Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 24
Mult.: 24
IGBT-SiC Diode Modules Si NXH100B120H3Q0 Tray