Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MSC50DC120HJ

Name: Microchip MSC50DC120HJ
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC50DC120HJ
Price: 67276 CLP
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

494-MSC50DC120HJ

Fabricante N.º:

MSC50DC120HJ

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de Diodos PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227

Ver en el Selector herramientas de desarrollo

Hoja de datos:

MSC50DC120HJ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology MSC50DC120HJ

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 16 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

Precio ext.:

Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$67.276	$67.276

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de Diodos
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Paquete / Cubierta:	SOT-227-4
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Configuración:	Full Bridge
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Producto:	SiC Schottky Diode Modules
Tipo de producto:	Diode Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Tecnología:	SiC

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSC50DC120HJ Hoja de datos (PDF)

DTS

Ver en el Selector herramientas de desarrollo

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Power Modules

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Power Modules combine a formidable array of technologies into a single package optimized for reliability, efficiency, space-saving, and reduced assembly time. The readily available standard module product line from Microchip Technology spans a wide selection of circuit topologies, semiconductors including Silicon Carbide, voltage and current ratings, and packages. Unique requirements can be met with application-specific power modules (ASPM®).

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm² to 15J/cm² and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.