QPD1025 GaN FETs

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Hoja de datos
13En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Screw Mount NI-1230-4 HEMT 2 Channel 65 V 28 A - 2.8 V - 40 C + 85 C 685 W
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT NI-1230-4 28 A - 40 C + 85 C 758 W
Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1.000
Mult.: 1.000
Carrete: 1.000
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 100 V 610 mA - 40 C + 85 C 17.5 W