Transistores Darlington DARL NPN 30V .3A
2SD2142KT146
ROHM Semiconductor
1:
$660
1.086 En existencias
3.000 Se espera el 12-05-2026
N.º de artículo de Mouser
755-2SD2142KT146
ROHM Semiconductor
Transistores Darlington DARL NPN 30V .3A
1.086 En existencias
3.000 Se espera el 12-05-2026
1
$660
10
$406
100
$260
500
$198
3.000
$148
6.000
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1.000
$177
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$117
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$115
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Darlington Transistors
SMD/SMT
SOT-346-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1:
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726-IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1.681 En existencias
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1
$2.767
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISZ75DP15LMATMA1
Infineon Technologies
1:
$1.388
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726-ISZ75DP15LMATMA1
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
2.069 En existencias
1
$1.388
10
$786
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$533
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$465
1.000
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$365
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2.500
$365
5.000
$365
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSDSON-8
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD214218FV-V1-R0
MACOM
50:
$173.221
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD214218FV1R0
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
H-37275G-6/2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
IPB026N06N
Infineon Technologies
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726-IPB026N06N
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
1.070 En existencias
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1
$3.181
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
Diodos PIN Diode,Limiter,Chip
MADL-011052-14280W
MACOM
500:
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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
N.º de artículo de Mouser
937-MADL01105214280W
MACOM
Diodos PIN Diode,Limiter,Chip
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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PIN Diodes
Si
SMD/SMT
ODS-134 Die
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
ESD145B1W01005E6327XTSA1
Infineon Technologies
1:
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N.º de artículo de Mouser
726-ESD145B1W01005E6
Infineon Technologies
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES
18.240 En existencias
1
$108
10
$80,7
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$28,6
1.000
$29,5
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$28,6
15.000
$28,6
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WLL-2-2
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,220W,1.2-1.4GHz,150us
MACOM PH1214-220M
PH1214-220M
MACOM
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$723.993
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N.º de artículo de Mouser
937-PH1214-220M
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,220W,1.2-1.4GHz,150us
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
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RF Bipolar Transistors
Si
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz
MACOM PH1214-25M
PH1214-25M
MACOM
20:
$363.587
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
N.º de artículo de Mouser
937-PH1214-25M
MACOM
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
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RF Bipolar Transistors
Si
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SMT NPN
MMSTA13T146
ROHM Semiconductor
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND
N.º de artículo de Mouser
755-MMSTA13T146
NRND
ROHM Semiconductor
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SMT NPN
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-236-3
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
PXAD184218FV-V1-R2
MACOM
250:
$161.818
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NRND
N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2
NRND
MACOM
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET
No en existencias
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Min.: 250
Mult.: 250
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
H-37275G-6/2