Tube Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
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721En existencias
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IGBT Transistors
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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726En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFETs de SiC TO247 750V 56A N-CH SIC
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635En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
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131En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Vishay Semiconductors Rectificadores SOT-227 - GEN5 FRED SINGLE PHA
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206En existencias
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Rectifiers Screw Mount SOT-227

Microchip Technology Rectificadores FRED DQ 1200 V 75 A TO-247
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9.731En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247-2

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
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6.021En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse Rectificadores y diodos Schottky 100V 30A
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18.954En existencias
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Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-220-2
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
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448En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230A 200V
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931En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
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366En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3
IXYS IGBTs IXYX50N170C
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820En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
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37.706En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Vishay Semiconductors Rectificadores 75A 600V Single Diode
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6.916En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247AD-2
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Chan 400V 1.8 Amp
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22.272En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
Wolfspeed Diodos Schottky de SiC 650V 6A Gen6
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15.502En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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2.862En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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931En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
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1.594En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Toshiba MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 60mohm
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364En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
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1.710En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ITO-220AB-F-3
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
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1.441En existencias
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MOSFETs Si
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 5mohm Low FOM MOSFET
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1.707En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220AB-L-3