SOT-23-6 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 29.626En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 15V NPN SuperSOT4 3.233En existencias
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Carrete: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 20V PNP SuperSOT4 3.621En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 7.879En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 280En existencias
Min.: 1
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 376En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Littelfuse Dispositivos de protección contra sobretensiones del tiristor - TSPD 12V 30A 1.910En existencias
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Carrete: 3.000

TSPDs SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 72En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 76En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 83En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 118En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 78En existencias
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JFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V PNP SuperSOT4 7.445En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Dual 60V NPN/PNP 7.735En existencias
9.000Se espera el 13-04-2026
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Máx.: 1.520
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Littelfuse Dispositivos de protección contra sobretensiones del tiristor - TSPD 19V 80A SOT23-6L Sidactor 5.000En existencias
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TSPDs SMD/SMT SOT-23-6
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET 4.264En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET 5.414En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa 6.973En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI 5.853En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23-6

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Lo-Volt Hi-Gain 2.143En existencias
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 15V NPN SuperSOT4 2.332En existencias
Min.: 1
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 50V NPN SuperSOT4 133En existencias
12.000En pedido
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 12V PNP SuperSOT4 2.154En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) 40V PNP SuperSOT4 2.768En existencias
Min.: 1
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Carrete: 3.000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6

Diodes Incorporated Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN 50V Low Sat 2.132En existencias
9.000Se espera el 30-03-2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-23-6