PDIP-8 Semiconductores discretos

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 6 CH DIODE ARRAY
Hoja de datos
1.400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-8

Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 6 CH DIODE ARRAY
Hoja de datos
1.280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores en puente Dual Schottky Diode Bridge
Hoja de datos
56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bridge Rectifiers Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
4En existencias
50Se espera el 25-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8
Texas Instruments Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Dual USB Port
Hoja de datos
1.152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores y diodos Schottky Quad Schottky Diode Array
Hoja de datos
152En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole PDIP-8
STMicroelectronics Triacs Auto Voltage Switch
Hoja de datos
8.580En existencias
12.000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Triacs Through Hole PDIP-8
Texas Instruments Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Dual USB Port
Hoja de datos
90En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

PDIP-8
Texas Instruments Rectificadores en puente Dual Schottky Diode Bridge
Hoja de datos
31En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Bridge Rectifiers Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
Hoja de datos
6En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual EPAD(R) N-Ch
Hoja de datos
43Se espera el 25-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
50En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
Min.: 50
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MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8

Advanced Linear Devices Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
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No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole PDIP-8