STMicroelectronics Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 10V Unidirect
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19.811En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600 W 4kW Transil 6V to 70V Bi
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12.559En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS HJ Temp Transil
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7.388En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 400W 13V Unidirect
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50.978En existencias
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SMA (DO-214AC)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 600W 20V Bidirect
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71.865En existencias
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SMB (DO-214AA)
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS 1500W 5.0V Bidirect
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11.679En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250 V .14 ohm 17A STripFET II
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4.220En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 Volt 120 Amp
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1.547En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
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2.109En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 2.3Amp Zener SuperMESH
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7.145En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75 Volt 40 Amp
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2.800En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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3.569En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

STMicroelectronics Transistores Darlington PWR BIP/S.SIGNAL
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10.416En existencias
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Darlington Transistors SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
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920En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet
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938En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
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811En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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3.127En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
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1.102En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
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3.046En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
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467En existencias
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IGBT Modules Si Through Hole NDIP-26


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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598En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 pac
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940En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS Transil IEC 61000 500A 24V to 33V
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3.632En existencias
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SMC (DO-214AB)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 0.00275 Ohm 32A STripFET V 40V
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2.858En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 2.1 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
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4.235En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8