M Serie IGBTs

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Paquete / Cubierta
Estilo de montaje
Configuración
Máx. voltaje VCEO colector-emisor
Voltaje de saturación colector-emisor
Máximo voltaje puerta-emisor
Colector de Corriente Continua a 25 C
Dp - Disipación de potencia
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package
Hoja de datos
138En existencias
1.000Se espera el 21-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
Hoja de datos
Comentarios de Producto
467En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 30 A 283 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 50 A, low-loss M series IGBT
Hoja de datos
1.140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Max247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Hoja de datos
Comentarios de Producto
374En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Hoja de datos
343En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 40 A low loss
Hoja de datos
158En existencias
600Se espera el 16-11-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Hoja de datos
597Se espera el 15-06-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 326 W - 55 C + 175 C M Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss
Hoja de datos
1.768Se espera el 07-09-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C M Tube

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
Hoja de datos
592Se espera el 21-12-2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.85 V - 20 V, 20 V 16 A 167 W - 55 C + 175 C M Tube