AS4C512M32MD4V-046BIN

Alliance Memory
913-AS4C512M32MD4V46
AS4C512M32MD4V-046BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP

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En existencias: 455

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Plazo de entrega de fábrica:
30 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-
Precio ext.:
$-
Est. Tarifa:

Precio (CLP)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$87.738 $87.738
$80.924 $809.240
$78.275 $1.956.875
$76.306 $3.815.300
$76.286 $9.154.320
240 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - LPDDR4X
16 Gbit
32 bit
2.133 GHz
FBGA-200
512 M x 32
3.5 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 95 C
AS4C
Tray
Marca: Alliance Memory
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: KR
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 120
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 10 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM

Alliance Memory 2GB/4GB/8GB/16GB/32GB LPDDR4 SDRAM is organized as 1 or 2 channels per device, and the individual channel is 8-banks and 16-bits. This product uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is a 16n prefetch architecture with an interface. It's designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. These devices offer fully synchronous operations referenced to the rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 16n bits prefetched to achieve very high bandwidth.

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