System on a Chip (SoC) RF FG28, Sub-GHz +20, 2.4 GHz +10, 1024kB Flash, 256kB RAM, +20 dBm, Secure Vault-Mid, QFN68
EFR32FG28A122F1024GM68-A
Silicon Labs
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634-FG28A122FGM68A
Silicon Labs
System on a Chip (SoC) RF FG28, Sub-GHz +20, 2.4 GHz +10, 1024kB Flash, 256kB RAM, +20 dBm, Secure Vault-Mid, QFN68
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Rectificadores y diodos Schottky 20A, 200V, SlimDPAK, SINGLE TMBS RECT
V20PW22HM3_A/I
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78-V20PW22HM3_A/I
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Rectificadores y diodos Schottky 20A, 200V, SlimDPAK, SINGLE TMBS RECT
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 150V 40A SM H/PRF SKY
VS-40CTQ150STRLHM3
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78-VS40CTQ150STRLHM3
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 150V 40A SM H/PRF SKY
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024TRL-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
V10P22HM3_A/H
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Rectificadores y diodos Schottky 10A, 200V, SMPC TRENCH SKY RECT.
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - IAP Ultrafast
VS-VSKDF400/06PBF
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Módulos de Diodos Modules Rectifiers - IAP Ultrafast
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
ISC037N12NM6ATMA1
Infineon Technologies
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726-ISC037N12NM6ATMA
Infineon Technologies
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
SIHF520S-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 100V
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
SIHFR9024-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 60V
3.438 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFU1N60A-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
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Rectificadores y diodos Schottky 5A, 40V, DFN3820A SKY RECT
SS5N42HM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 5A, 40V, DFN3820A SKY RECT
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
VS-175BGQ045-N4
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Rectificadores y diodos Schottky Schottky - POWIRTAB
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHF620S-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
881 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
SIHFBC30AL-GE3
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78-SIHFBC30AL-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
995 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
SIHFR9220TR-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET P-CHANNEL 200V
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Rectificadores y diodos Schottky 1A, 200V, MicroSMP TRENCH SKY RECT.
V1P22HM3_A/H
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9.000 Se espera el 21-09-2026
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78-V1P22HM3_A/H
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Vishay
Rectificadores y diodos Schottky 1A, 200V, MicroSMP TRENCH SKY RECT.
1.825 En existencias
9.000 Se espera el 21-09-2026
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$947
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Rectificadores y diodos Schottky 25A,45V,HIGH BARRIER HT SKY RECT,TO263
MBRB25H45CTHM3/I
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78-MBRB25H45CTHM3/I
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Rectificadores y diodos Schottky 25A,45V,HIGH BARRIER HT SKY RECT,TO263
800 En existencias
1
$4.701
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800
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
SIHFU220-GE3
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU220-GE3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 200V
2.714 En existencias
1
$1.420
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25.000
$298
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
SIHFU420-GE3
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1:
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2.931 En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SIHFU420-GE3
Nuevo producto
Vishay Semiconductors
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 500V
2.931 En existencias
1
$1.672
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$350
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Min.: 1
Mult.: 1
Rectificadores y diodos Schottky 1A,200V,SMF,TRENCH SKY RECT
V1F22HM3_A/I
Vishay
1:
$862
8.352 En existencias
Nuevo producto
N.º de artículo de Mouser
78-V1F22HM3_A/I
Nuevo producto
Vishay
Rectificadores y diodos Schottky 1A,200V,SMF,TRENCH SKY RECT
8.352 En existencias
1
$862
10
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$93,6
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Mult.: 1
Carrete :
10.000
System on a Chip (SoC) RF MG27, 2.4 GHz, 768kB Flash, 64kB RAM, +8 dBm, +125C, QFN40
EFR32MG27C140F768IM40-B
Silicon Labs
1:
$5.322
2.668 En existencias
N.º de artículo de Mouser
634-MG27C14068IM40-B
Silicon Labs
System on a Chip (SoC) RF MG27, 2.4 GHz, 768kB Flash, 64kB RAM, +8 dBm, +125C, QFN40
2.668 En existencias
Embalaje alternativo
1
$5.322
10
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25
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2.450
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4.900
Presupuesto
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Detalles
Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Channel High Voltage Power Operational Amplifier IC
PA166PQ
Apex Microtechnology
1:
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N.º de artículo del Fabricante
PA166PQ
N.º de artículo de Mouser
137-PA166PQ
Apex Microtechnology
Amplificadores operacionales - Op Amps Dual Channel High Voltage Power Operational Amplifier IC
61 En existencias
1
$219.204
10
$186.612
25
$178.482
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Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Amplificador de RF GNSS High Gain Low Noise Amplifier
NJG1187AKGC-A
Nisshinbo
1:
$3.260
1.836 En existencias
N.º de artículo de Mouser
848-NJG1187AKGC-A
Nisshinbo
Amplificador de RF GNSS High Gain Low Noise Amplifier
1.836 En existencias
1
$3.260
10
$2.429
25
$2.230
100
$1.998
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$1.893
3.000
$1.599
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Carrete :
3.000
Detalles
System on a Chip (SoC) RF ATM2201 External, 16 GPIO, 5x5 QFN
ATM2201SR
Atmosic Technologies
1:
$2.156
1.997 En existencias
Nuevo en Mouser
N.º de artículo de Mouser
952-ATM2201SR
Nuevo en Mouser
Atmosic Technologies
System on a Chip (SoC) RF ATM2201 External, 16 GPIO, 5x5 QFN
1.997 En existencias
1
$2.156
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$1.104
5.000
$1.062
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
FDPF20N50T
onsemi
1:
$5.521
7.203 En existencias
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF20N50T
onsemi
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 20A NCH MOSFET
7.203 En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
Detalles