Semiconductores – Mouser Chile

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Infineon Technologies offers tailor-made semiconductors that consider customers’ priorities - price/performance vs. (ultra) high power density. The portfolio comprises the entire USB-C™ source product chain, ranging from HV/LV power switches to PWM controllers, USB-C controllers for power delivery, and ESD protection devices.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

IPI029N06NAKSA1
Infineon Technologies
1: $2.856
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IPI029N06NAKSA1

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726-IPI029N06NAKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A I2PAK-3

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
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52En existencias
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IPL60R065P7AUMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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IPN60R600P7SATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R600P7SATMA1
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN80R2K4P7ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R120P7XKSA1
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IPP60R120P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP60R280P7XKSA1
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IPU80R4K5P7AKMA1
Infineon Technologies
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IPU95R750P7AKMA1
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IPW60R024P7XKSA1
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IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
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240Se espera el 16-02-2026

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IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $9.906
130En existencias
240Se espera el 21-05-2026

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IPZA60R037P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.967
174En existencias

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IPZA60R080P7XKSA1

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726-IPZA60R080P7XKSA

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IPN80R600P7ATMA1
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1: $1.930
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IPN80R600P7ATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.220
328En existencias
NRND

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IPP80R280P7XKSA1

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726-IPP80R280P7XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R900P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $1.073
538En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R900P7XKSA1

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726-IPP80R900P7XKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: $1.162
196En existencias
4.500Se espera el 23-07-2026
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

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4.500Se espera el 23-07-2026

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$481

$369

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.742
231En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

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$3.742

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$1.684

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

BSZ039N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: $1.251
1.711En existencias
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BSZ039N06NSATMA1

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726-BSZ039N06NSATMA1

Fin de vida útil

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V

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$1.251

$1.024

$882

$864

Envase tipo carrete

$655

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

IPB024N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.540
18.252En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB024N10N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB024N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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18.252En pedido

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$4.540

$3.003

$2.265

$1.989

Envase tipo carrete

$1.772

$1.615

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.358
37.680En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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37.680En pedido

$3.358

$1.832

$1.497

$1.152

$1.113

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB017N08N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.623
930Se espera el 02-03-2026

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N08N5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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930Se espera el 02-03-2026

Cinta cortada

$5.623

$4.047

$3.190

$3.181

Envase tipo carrete

$2.688

Presupuesto

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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD150B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $118
134.990Se espera el 16-04-2026

N.º de artículo del Fabricante
ESD150B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-D150B1W0201E6327

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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134.990Se espera el 16-04-2026

Cinta cortada

$118

$83,7

$36,4

$34,5

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Envase tipo carrete

$20,7

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15.000

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

ESD131B1W0201E6327XTSA1
Infineon Technologies
1: $256
112.685En pedido

N.º de artículo del Fabricante
ESD131B1W0201E6327XTSA1

N.º de artículo de Mouser
726-ESD131B1W0201E63

Infineon Technologies

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS DIODES

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112.685En pedido

Cinta cortada

$256

$155

$96,5

$70,9

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Envase tipo carrete

$41,4

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 15.000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUC28N08S5L230ATMA1
Infineon Technologies
1: $1.241
10.000Se espera el 16-02-2026

N.º de artículo del Fabricante
IAUC28N08S5L230ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC28N08S5L230A

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

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10.000Se espera el 16-02-2026

Cinta cortada

$1.241

$781

$514

$408

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Envase tipo carrete

$297

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5.000

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