RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
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Paquete / Cubierta
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:-20V Ic:-0.8A SOT-723
Hoja de datos
6.583En existencias
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Carrete: 8.000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F
Hoja de datos
4.412En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323
Hoja de datos
9.000Se espera el 02-03-2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

SOD-323-2
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Hoja de datos
5.990Se espera el 02-03-2026
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q SS MOS N-ch + P-ch Low Voltage Gate Drive VDSS:30V IC:4A PD:1.5W TSOP6F
Hoja de datos
6.000Se espera el 08-05-2026
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTO AEC-Q Low Rdson SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V Ic:0.3A SOT-416
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
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Min.: 1
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Carrete: 3.000

MOSFETs Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
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Carrete: 8.000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Hoja de datos
N/A
MouseReel Disponible
Min.: 1
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Carrete: 3.000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
Hoja de datos
N/A
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Min.: 1
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Carrete: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
Hoja de datos
N/A
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR NPN + PNP Q1BSR=10kOhm, Q2BSR=10kOhm VCEO=50V IC=0.1A (SOT-563)
Hoja de datos
No en existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4.000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6