RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNPx2 Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=4.7kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=22kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=47kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q TR PNP+NPN Q1BSR=4.7kOhm Q1BER=4.7kOhm Q2BSR=Q2BER=4.7kOhm VCEO=-50V IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A SOT563
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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Toshiba Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN + PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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