Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 T&R 2.5K
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual P-Channel
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
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2.000Se espera el 20-03-2026
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dl 30V N-Chnl UMOS
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 8V-24V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250mW 60Vdss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 25V-30V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
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2.206En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL 40V, 5.5A/- 7.2A
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch Enh Mode FET
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single -30V P-Ch Enh FET -20Vgss
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFETBVDSS: 41V-60V
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Avalanche
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 310mW
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
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3.647En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET BVDSS 61V 100V N-Ch 4.8A 3Vgs 549pF
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5.753En existencias
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Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40V
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3.000En existencias
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