Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 150V 0.024 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega 37 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 250V 0.024 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 200V 0.014 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 150V 0.011 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 1200V 1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 220Amps 150V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 800V 0.4 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1000V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 37 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 800V 0.27 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 48A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 32 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 38 Amps 1000V 0.21 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 1100V 0.2800 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 42 Amps 800V 0.15 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 600V 0.78 Ohm Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS Módulos MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 138 Amps 300V 0.018 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos MOSFET 20 Amps 1200V 0.6 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1000V 0.39 Rds
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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos de semiconductores discretos 26 Amps 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS Módulos de semiconductores discretos 30 Amps 1200V 0.35 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 32 Semanas
Min.: 300
Mult.: 10

Discrete Semiconductor Modules Si Screw Mount SOT-227-4