Polar HiPerFET Power MOSFETs

IXYS Polar™ HiPerFETs Power MOSFETs combine the strengths of the Polar Standard family with a faster body diode. The faster body diode's reverse recovery time (trr) is reduced to make them suitable for phase-shift bridges motor control and uninterruptible power supply applications (UPS). This family of MOSFETs provides the lowest RDS(on), low RthJC, low Qg, and enhanced dv/dt capability.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 800V
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 10A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 12A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 14A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30 Amps 1200V 0.35 Rds
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MOSFETs Si Through Hole PLUS-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 120 Amps 200V 0.022 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1200V 1.15 Rds
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1.350Se espera el 13-07-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 150V 0.013 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 16 Amps 800V 0.6 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 18A
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16En existencias
870Se espera el 17-04-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds
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90Se espera el 08-06-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIODE Id24 BVdass800
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1.590En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 30A
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77En existencias
2.550Se espera el 28-04-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 36A
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23En existencias
300Se espera el 23-09-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 36A
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
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188En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id10 BVdass600
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HiPERFET Id12 BVdass500
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2En existencias
100Se espera el 23-02-2026
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 1KV 4A N-CH POLAR
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417En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 5 Amps 1000V
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362En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3