Group Power Conversion Components

YAGEO Group (YAGEO, Pulse, KEMET) designs passive component technologies that are critical in power conversion systems, including safety, snubber, and DC link capacitors; current sense and power resistors; and magnetic components such as transformers, common mode chokes, and inductors. Because every electronic device requires power, a vast majority of these products utilize a form of power conversion or power supply to deliver the required energy. 

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 26A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 31.5 A PMPAK-5x6
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -11 .3A SO-8
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -12 .7A PMPAK-3x3
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2.995En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 37.5 A PMPAK-5x6
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2.980En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 33.8 A PMPAK-5x6
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 40V 75A TO-252
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2.999En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
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5.117En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 20A TO-220CFM
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855En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 93A TO-220CFM-T
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 72A TO-220CFM-T
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996En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 60V 66A TO-252
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2.980En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 700V 3.2 A TO-252
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 100V 2.1 A SOT-23
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3.000Se espera el 03-03-2026
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 3.5A SOT-23S
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4A SOT-23S
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -20V -4. 2A SOT-23S
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2.399En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Complementary N ch + P ch 30V/-30
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 5.4A SOT-23S
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2.551En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.5A SOT-23S
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 30V 4.3A SOT-23S
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3.000En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
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2.925En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -30V -3. 2A SOT-23S
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2.990En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH -40V -3A SOT-23S
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2.845En existencias
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YAGEO XSemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
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1.542En existencias
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