Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters

Littelfuse Off-Board Charger Sub-Unit Power Converters are required for DC charging stations capable of charging to 80% SOC in under 30 minutes. These fast-charging applications require modular power converters, which can be paralleled to cater to different power levels, thereby enabling fast charging. The most critical parameters are energy density and system efficiency. A sub-unit power converter in a DC charging station consists of an AC/DC power stage and DC/DC power stage integrated into the charging station.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Rectificadores 30 Amps 800V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1.400
Mult.: 50
Carrete: 50


IXYS Rectificadores 45 Amps 1600V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 14A N-CH HIPER
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-263D2
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/8A TO-263
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 50

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 850V/90A Ultra Junction X-Class
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 41 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/12A TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/18A TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
Hoja de datos
Plazo de entrega 27 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 850V 30A N-CH XCLASS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1