Diodos Schottky de SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V 280mohm Super Junction Easy versio
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
PCDP1665G1_T0_00001
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N.º de artículo de Mouser 241-PCDP1665G1T00001
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Diodos Schottky de SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode
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