IXYS Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT
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IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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374En existencias
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IXYS Módulos SCR SCR TO240 1.8KV 110A MODULE
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48En existencias
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IXYS Integrated Circuits IC de controladores de iluminación LED Off-Line High Bright LED Driver
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10.449En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2.000

IXYS Rectificadores 5A 600V
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14.072En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2.500

IXYS Rectificadores 120 Amps 1200V
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1.081En existencias
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IXYS Rectificadores 30 Amps 600V
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1.858En existencias
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IXYS Rectificadores 1200V 2X91A
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339En existencias
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IXYS Rectificadores 60 Amps 200V
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617En existencias
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IXYS Rectificadores 30 Amps 800V
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4.546En existencias
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IXYS Rectificadores y diodos Schottky 220 Amps 80V
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139En existencias
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IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
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281En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 650V 34A N-CH X3CLASS
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659En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 16A
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3.001En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
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403En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS
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255En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds
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300En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET
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173En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar3 HiPerFET Power MOSFET
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282En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 7 Amps 1000V
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1.345En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 300V 26A N-CH X3CLASS
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1.956En existencias
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IXYS IGBTs GenX3 600V IGBTs
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2.145En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT
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418En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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1.966En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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543En existencias
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