IXYS Semiconductores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (CLP) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247
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374En existencias
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IXYS Integrated Circuits IC de controladores de iluminación LED Off-Line High Bright LED Driver
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10.449En existencias
MouseReel Disponible
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Carrete: 2.000

IXYS SCR 60 Amps 1200V
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153En existencias
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IXYS Diodos de Conmutación de Señal Baja 30 Amps 200V
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705En existencias
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IXYS Rectificadores RECT 300V 40A SM FAST RCVR
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740En existencias
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Carrete: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER
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547En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 175V 150A
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295En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds
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368En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X3CLASS
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180En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET
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299En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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234En existencias
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IXYS Módulos MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
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299En existencias
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IXYS Módulos MOSFET DIODE Id54 BVdass800
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333En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds
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354En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS
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661En existencias
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IXYS IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
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437En existencias
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IXYS IGBTs 60 Amps 1200V
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253En existencias
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IXYS IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A
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199En existencias
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IXYS IGBTs GenX3 1200V IGBTs
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298En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds
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193En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS
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239En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 100V 76A P-CH TRENCH
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1.250En existencias
250Se espera el 10-04-2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
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510En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -170.0 Amps -100V 0.012 Rds
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226En existencias
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IXYS IGBTs 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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265En existencias
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